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纳米单晶硅压力变送器

文章出处:人气:0发表时间:2020-3-11 11:31:51

本文章主要先容了:纳米单晶硅压力变送器,二线制压力变送器输出控制,labom压力变送器等压力变送器信息西安云仪仪器仪表有限企业主要生产压力变送器,

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◎激光调阻温度补偿,使用温域宽
◎进口扩散硅芯片,长期稳定性好
◎防浪涌电压,极性反向保护
◎抗干扰设计,适合恶劣使用环境
◎功耗低、迟滞误差小、重复性好
◎小体积设计,任意位置安装
◎标准螺纹连接,使用方便
◎普通型,防水型可选,用于不同压力测量场合
二、技术参数
(纳米单晶硅压力变送器)

 

迁移特性:最大正迁移量500%
最大负迁移量600%
注:1、负迁移量的绝对值,不大于一个工程大气压。
2、迁移后的上限或下限绝对值,均不应超过最大测量范围的上限值。
3、绝对压力变送器不能进行负迁移。
阻尼:通常可在0.2~1.67秒之间可调,当灌充惰性液或带远传装置时,时间常数会增大。
启动时间:﹤2秒,不需预热
工作环境:环境温度:-29~93℃(模拟放大器)
-29~65℃(带显示表头)
环境湿度:0~95%
防护特性:IP65
防爆类型:隔爆型ExdIIBT4
本安型ExiaIICT4
静压影响:零位误差:±0.5%最大量程限值,对于32MPa在管道压力下通过调零给予校正。
(纳米单晶硅压力变送器)

 

由于测量膜片采用标准化集成电路,内部包含线性及温度补偿电路,所以可以做到高精度和高稳定性,变送电路采用专用的两线制芯片,可以保证输出两线制4-20mA电流信号,方便现场接线扩散硅被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上(不锈钢或陶瓷),使膜片产生与介质压力成正比的微位移,使传感器的电阻值发生变化,和用电子线路检测这一变化,并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。
陶瓷压力直接作用在陶瓷膜片的前表面,使膜片产生微小的形变,厚膜电阻印刷在陶瓷膜片的背面,连接成一个惠斯通电桥(闭桥),由于压敏电阻的压阻效应,使电桥产生一个与压力成正比的高度线性、与激励电压也成正比的电压信号。
(纳米单晶硅压力变送器)

 

振动影响:任何方向200Hz振动时,±0.05%/g。
安装位置:膜片未垂直安装,可能产生小于0.24KPa的零点误差,但可通过调零来消除。
(纳米单晶硅压力变送器)

 

迁移特性:最大正迁移量500%
最大负迁移量600%
注:1、负迁移量的绝对值,不大于一个工程大气压。
2、迁移后的上限或下限绝对值,均不应超过最大测量范围的上限值。
3、绝对压力变送器不能进行负迁移。
阻尼:通常可在0.2~1.67秒之间可调,当灌充惰性液或带远传装置时,时间常数会增大。
启动时间:﹤2秒,不需预热
工作环境:环境温度:-29~93℃(模拟放大器)
-29~65℃(带显示表头)
环境湿度:0~95%
防护特性:IP65
防爆类型:隔爆型ExdIIBT4
本安型ExiaIICT4
静压影响:零位误差:±0.5%最大量程限值,对于32MPa在管道压力下通过调零给予校正。
(纳米单晶硅压力变送器)

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